Tranzistory - História úprav

Balogh na 11:16, 6. december 2017

2017-12-06T11:16:25Z

← Staršia verzia		Verzia z 11:16, 6. december 2017
Riadok 55:		Riadok 55:
	* Návod na meranie: str. 47		* Návod na meranie: str. 47
	* Výstup: grafická závislosť otáčok elektromotora od striedy PWM		* Výstup: grafická závislosť otáčok elektromotora od striedy PWM


			[[Kategória:ELSA]]

Balogh: /* Úlohy */

2017-11-23T09:30:08Z

Úlohy

← Staršia verzia		Verzia z 09:30, 23. november 2017
Riadok 30:		Riadok 30:
	1. Zmerajte základné parametre spínacieho tranzistora BD243.		1. Zmerajte základné parametre spínacieho tranzistora BD243.

	* BD243 - [http://www.~~micropik~~.com/~~PDF~~/~~BD243[1]~~.pdf katalógový list]		* BD243 - [http://www.mouser.com/ds/2/149/BD243B-888630.pdf katalógový list]
	* Návod na meranie: str. 32		* Návod na meranie: str. 32
	* Výstup: tabuľka zo str. 32		* Výstup: tabuľka zo str. 32

Balogh: /* Tranzistor */

2017-11-21T13:39:36Z

Tranzistor

@@ Riadok 1: / Riadok 1: @@
-=== Tranzistor ===
+== Tranzistor ==
 Je všeobecné známe, že základom integrovaných obvodov je tranzistor. Podľa typu nosiča náboja ich delíme  na:
 * bipolárne (dva typy nosiča  - elektróny a diery) a
@@ Riadok 23: / Riadok 23: @@
 [[Obrázok:P_typ.jpg]]

Balogh: /* Technológie CMOS (Complemntary MOS) */

2017-11-21T13:30:33Z

Technológie CMOS (Complemntary MOS)

← Staršia verzia		Verzia z 13:30, 21. november 2017
Riadok 13:		Riadok 13:
	*minimalizované straty		*minimalizované straty
	*zlučiteľné s TTL		*zlučiteľné s TTL

	~~=== Technológie CMOS (Complemntary MOS) ===~~
	Dnes sa presadzujú technológie, v ktorých je rezistor nahradený „aktívnou“ záťažou - tranzistorom PMOS. Výhodou tejto technológie je eliminovanie stratového výkonu v statickom režime, kedy je jeden tranzistor vždy zatvorený. Tento obrázok je základom technológie CMOS (Complemntary Metal – Oxid Semiconductor). V tejto technológii <math>\ log.0</math> odpovedá napätie napätie <math>\ 0V</math> až <math>0\ 0,3V_{DD}</math> a <math>\ log.1</math> napätie <math>\ 0,7V_{DD} až </math> <math>\ V_{DD}</math>. Pre napájacie napätie <math>\ V_{DD}\ =\ 5,0V</math>, odpovedajúce napájaniu TTL obvodov, sú rozsahy nasledovné: <math>\ log.0\ =\ 0V</math> až <math>\ 1,5V</math> a <math>\ log.1\ =\ 3,5V</math> až <math>\ 5.0V </math>.

	~~Okrem <math>\ V_{DD}=5.0V</math> sa používa aj <math>\ V_{DD}=3.3V</math> a <math>\ V_{DD}=2.9V</math>~~

	~~[[Obrázok:Tran_CMOS.jpg]]~~



	V ďalšom budeme uvažovať N a P MOS tranzistory ako jednoduché spínače. Napájacie napätie je unipolárne: <math>\ V_{DD}</math>.		V ďalšom budeme uvažovať N a P MOS tranzistory ako jednoduché spínače. Napájacie napätie je unipolárne: <math>\ V_{DD}</math>.

Balogh: /* Tranzistor */

2017-11-21T13:29:49Z

Tranzistor

← Staršia verzia		Verzia z 13:29, 21. november 2017
Riadok 10:		Riadok 10:
	[[Obrázok:Tran_invertor.jpg]]		[[Obrázok:Tran_invertor.jpg]]



	~~xxxxxxxxxxx~~
	Výhody:		Výhody:
	*minimalizované straty		*minimalizované straty
	*zlučiteľné s TTL		*zlučiteľné s TTL




	~~xxxxxxxxxxx~~


	=== Technológie CMOS (Complemntary MOS) ===		=== Technológie CMOS (Complemntary MOS) ===

Balogh: Vytvorená stránka „=== Tranzistor === Je všeobecné známe, že základom integrovaných obvodov je tranzistor. Podľa typu nosiča náboja ich delíme na: * bipolárne (dva typy nosiča…“

2017-11-21T13:20:57Z

Vytvorená stránka „=== Tranzistor === Je všeobecné známe, že základom integrovaných obvodov je tranzistor. Podľa typu nosiča náboja ich delíme na: * bipolárne (dva typy nosiča…“

Nová stránka

=== Tranzistor ===
Je všeobecné známe, že základom integrovaných obvodov je tranzistor. Podľa typu nosiča náboja ich delíme na:
* bipolárne (dva typy nosiča - elektróny a diery) a
* unipolárne (jeden typ nosiča).

'''Unipolárna technológia výroby''': Sú to vlastne elektrickým poľom riadené tranzistory (FET – Field Effect Transistor).

Historicky najstaršou technológiou je PMOS (Metal Oxid Semiconductor), ktorá používa unipolárny tranzistor s kanálom '''P'''. Vzhľadom na nízku rýchlosť a zlú zlučiteľnosť s TTL obvodmi sa nahradila technológiou NMOS (MOS tranzistor s kanálom '''N'''). Dosahuje vyššie rýchlosti, pretože elektróny sa pohybujú rýchlejšie ako diery. Výhodou je aj dobrá zlučiteľnosť s obvodmi TTL. Hradlo typu NMOS v invertujúcom zapojení používa ako záťaž spínacieho prvku rezistor. Hradlo NMOS zapojené ako invertor používa rezistor vo funkcii záťaže spínacieho obvodu.

[[Obrázok:Tran_invertor.jpg]]

xxxxxxxxxxx
Výhody:
*minimalizované straty
*zlučiteľné s TTL

xxxxxxxxxxx

=== Technológie CMOS (Complemntary MOS) ===
Dnes sa presadzujú technológie, v ktorých je rezistor nahradený „aktívnou“ záťažou - tranzistorom PMOS. Výhodou tejto technológie je eliminovanie stratového výkonu v statickom režime, kedy je jeden tranzistor vždy zatvorený. Tento obrázok je základom technológie CMOS (Complemntary Metal – Oxid Semiconductor). V tejto technológii <math>\ log.0</math> odpovedá napätie napätie <math>\ 0V</math> až <math>0\ 0,3V_{DD}</math> a <math>\ log.1</math> napätie <math>\ 0,7V_{DD} až </math> <math>\ V_{DD}</math>. Pre napájacie napätie <math>\ V_{DD}\ =\ 5,0V</math>, odpovedajúce napájaniu TTL obvodov, sú rozsahy nasledovné: <math>\ log.0\ =\ 0V</math> až <math>\ 1,5V</math> a <math>\ log.1\ =\ 3,5V</math> až <math>\ 5.0V </math>.

Okrem <math>\ V_{DD}=5.0V</math> sa používa aj <math>\ V_{DD}=3.3V</math> a <math>\ V_{DD}=2.9V</math>

[[Obrázok:Tran_CMOS.jpg]]

V ďalšom budeme uvažovať N a P MOS tranzistory ako jednoduché spínače. Napájacie napätie je unipolárne: <math>\ V_{DD}</math>.

'''N-typ''' tranzistora má vývod '''S''' pripojený na ZEM. Aby bol tranzistor vodivý – '''ON''' musí byť napätie <math>\ U_{GS}</math> voči bodu '''S''' kladné. <math>\ U_{GS}</math> musí byť väčšie ako je minimálna prahová hodnota. Napr.: <math>\ U_{GS}\ = \ V_{DD}</math>. Prechod '''DS''' je potom vodivý. Ak je napätie <math>\ U_{GS}\ =\ 0V</math>, potom je tranzistor nevodivý – v stave '''OFF'''.

[[Obrázok:N_typ.jpg]]

'''P-typ''' tranzistora má bod '''S''' pripojený na <math>\ V_{DD}</math>. Ak má byť tranzistor v stave '''ON''', musí byť napätie <math>\ U_{GS}</math> voči bodu '''S''' záporné. <math>\ U_{GS}</math> musí byť menšie ako je minimálna prahová hodnota. Napr.:<math>\ U_{GS}\ =\ 0V</math>. Ak je napätie <math>\ U_{GS}\ = \ V_{DD}</math>, potom je tranzistor nevodivý – v stave '''OFF'''.

[[Obrázok:P_typ.jpg]]